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氮化镓，份子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起经常使用在发光二极管中。

氮化镓简介

氮化镓，份子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起经常使用在发光二极管中。此化合物布局近似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不利用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的前提下，发生紫光（405nm）激光。

氮化镓百科

氮化镓，份子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起经常使用在发光二极管中。此化合物布局近似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不利用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的前提下，发生紫光（405nm）激光。

合成方式

1、即便在1000℃氮与镓也不直接反映。在氨气流中在1050～1100℃下加热金属镓30min可制得松散的灰色粉末状氮化镓GaN。插手碳酸铵可供给气体以搅动液态金属，并促使与氮化剂的接触。

2、在干燥的乐鱼体育app氨气流中焙烧磨细的GaP或GaAs也可制得GaN。

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