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    发表时间:2024-04-16 | 作者:肥仔

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    英诺赛科成立在2015年12月,是一家致力在第三代半导体硅基氮化镓研发与财产化的高新手艺企业。公司采取IDM全财产链模式,集芯片设计、外延发展、芯片制造、测试与掉效阐发在一体,具有全球最年夜的8英寸硅基氮化镓晶圆的出产能力。

    英诺赛科简介

    英诺赛科成立在2015年12月,是一家致力在第三代半导体硅基氮化镓研发与财产化的高新手艺企业。公司采取IDM全财产链模式,集芯片设计、外延发展、芯片制造、测试与掉效阐发在一体,具有全球最年夜的8英寸硅基氮化镓晶圆的出产能力。公司的首要产物涵盖从低压到高压(30V-650V)的氮化镓功率器件,产物设计和机能均到达国际进步前辈程度。

    英诺赛科已在激光雷达、数据中间、5G通信、高密度高效快速充电、无线充电、车载充电器、LED 灯照明驱动等方面发布产物方案,并与国内多家利用头部企业展开深度合作,实现量产。英诺赛科作为手艺全球领先的第三代半导体公司,在8英寸硅基氮化镓焦点手艺和要害工艺范畴已实现重年夜冲破,成立了高功率密度、高效力、高增益、低本钱的硅基氮化镓量产平台,实现了中国第三代半导体零的冲破。

    我们的焦点手艺团队

    英诺赛科的焦点手艺团队由半导体和(电力)电子行业的专家和资深人士构成。 他们均来自世界一流的领先公司,在硅基氮化镓手艺的开辟和年夜范围量产方面具有丰硕的经验。

    另外,为了展现英诺赛科在氮化镓手艺范畴具有的潜力,并加倍顺遂地推行产物,英诺赛科还聚集了系统工程范畴的专家,用在进行面向非凡利用和客户的开辟板和其他电路系统的研制。

    英诺赛科(Innoscience)创建在2015年12月17日,旨在打造全球最年夜的采取全财产链模式,集设计、研发、出产和发卖为一体氮化镓(GaN )的出产基地。

    公司成立之初,英诺赛科的开创人就深知,假如想实现氮化镓手艺在市场上的普遍利用,产物的机能和靠得住性只是底子。氮化镓功率电子器件在市场上要进行年夜范围推行,还需要解决别的三个痛点:起首是本钱,具有公道的价钱才能被普遍采取。其次是具有年夜范围量产能力,以应对市场的爆发。第三,要确保器件供给链不变,有了不变的货源供给,客户可以诚心诚意投入产物和系统的开辟,无需担忧因氮化镓器件供给计谋的转变而致使停产。是以,Innoscience 大白,只有扩年夜 GaN 器件的产能并具有自立可控的出产线,才有可能解决氮化镓功率电子器件在市场长进行年夜范围推行的三个痛点(价钱、数目和供给平安)。

    从一最先,英诺赛科就计谋性地将采取8英寸晶圆,与6英寸比拟,8英寸晶圆的器件数目比6英寸晶圆多80%。同时,英诺赛科采取C-MOS工艺,以便将多年来在三极管出产范畴堆集的经验和优化办法利用在氮化镓晶圆的出产工艺中。

    今天,英诺赛科已实现了最初的计划。今朝,公司具有两座8英寸硅基氮化镓出产基地,采取最早进的8英寸出产工艺,是全球产能最高的氮化镓器件厂商。

    今朝,英诺赛科8英寸硅基氮化镓的产能到达每个月10000片,并将逐步扩年夜至每个月70000片以上。

    我们能获得这些成绩,离不开招银国际、ARM、SK和CATL等世界级投资方的撑持。

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